Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Puntuación global
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 56
    En -81% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 2,475.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 8800
    En 2.18 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,878.3 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,475.5 left arrow 8.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    598 left arrow 2354
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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