RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
56
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,475.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8800
Wokół strony 2.18 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
19200
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
2354
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link