RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
2238
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link