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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
41
读取速度,GB/s
13.0
12.8
写入速度,GB/s
8.0
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2238
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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