RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Compara
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2268
2213
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link