RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
37
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2268
2213
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link