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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2268
2394
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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