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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4008
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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