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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
4008
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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