RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4008
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link