RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3386
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link