RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3386
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Inmos + 256MB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link