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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Inmos + 256MB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
92
Autour de -207% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
6400
Autour de 2.63 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
16800
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2318
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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