RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Compara
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2268
3317
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link