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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
54
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2865
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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