RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2865
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link