RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2865
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link