RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2865
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link