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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2865
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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