RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2865
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link