RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2865
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link