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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 15.7
    テスト平均値
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 27
    周辺 -13% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2865

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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