RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
57
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3593
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link