RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2545
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Informar de un error
×
Bug description
Source link