RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2545
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link