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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2545
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