Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Pontuação geral
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.8 left arrow 15.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 11.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 21300
    Por volta de 1.2% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 33
    Por volta de -22% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    33 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    17.8 left arrow 15.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 11.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3285 left arrow 2545
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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