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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
11.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2545
2803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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