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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
11.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
15.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2545
2803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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