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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Compara
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
57
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
57
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2213
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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