RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
57
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
57
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
2213
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991586 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link