RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
57
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3245
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link