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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
57
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
27
Velocità di lettura, GB/s
6.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
3245
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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