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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
57
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
37
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2046
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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