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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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Especificaciones
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3036
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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