RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3036
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link