RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
57
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2354
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link