RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
57
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
28
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
5.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2354
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link