RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
57
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2697
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link