RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
30
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
20
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2414
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link