RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
57
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2590
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link