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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3297
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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