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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
57
En -159% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
22
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3394
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
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