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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
42
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3033
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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