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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
57
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
44
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
1660
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5402-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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