RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
57
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
44
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
1660
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-8GSR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link