RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
53
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
53
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2418
2319
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Informar de un error
×
Bug description
Source link