RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
4012
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link