RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2430
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link