RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2711
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link