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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
11.8
16.1
写入速度,GB/s
7.3
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2711
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
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