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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
29
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
29
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3140
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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